IT之家 7 月 8 日消息，科技媒體 NeoWin 今天(7 月 8 日)發布博文，報道稱日本科學家成功研發新型鐵磁半導體(FMS)，可在更高溫度下工作，在 530 K(約256.85℃)時達到居里溫度。

　　IT之家注：居里溫度是指磁性材料中自發磁化強度降到零時的溫度，是鐵磁性或亞鐵磁性物質轉變成順磁性物質的臨界點。

　　它代表著磁性材料的理論工作溫度極限，居里溫度的大小由物質的化學成分和晶體結構決定，例如鐵的居里溫度約 770℃，鈷的居里溫度約 1131℃。

　　在 Pham Nam Hai 教授的領導下，來自東京科學研究所的科研團隊成功研發新型鐵磁半導體，相比較現有材料，能夠在更高溫度下工作。

　　

 

　　在眾多材料中，摻鐵的窄帶隙 III-V 族半導體，如 (In,Fe) Sb 和 (Ga,Fe) Sb，因其在高居里溫度方面的潛力，而成為研究的重點。然而，在不破壞晶體結構的情況下，引入大量如鐵這樣的磁性元素一直是一個巨大的挑戰。

　　在這個新研究中，東京團隊找到了解決這個問題的方法。他們使用了一種稱為步進流生長(step-flow growth)的技術，在稍微傾斜(約 10° 偏軸)的 GaAs(100)基底上生長(Ga,Fe)Sb 薄膜。這種方法在不破壞材料結構前提下，最高可以引入 24% 的鐵。

　　

 

　　憑借這一技術，團隊創建了 (Ga?.??Fe?.??) Sb 薄膜，其居里溫度在 470K 至 530K 之間，這是 FMS 研究中迄今為止報道的最高值。

　　為了確認磁性，團隊使用了磁圓二色性光譜法，檢查光與自旋極化電子態的相互作用。他們還使用 Arrott 圖分析磁化數據，這是一種用于確定材料變為磁性的溫度的技術。

　　樣品中每個 Fe 原子的磁矩約為 4.5μB，接近鋅礦結構中 Fe³?離子的理想 5μB。這大約是普通鐵金屬(α-Fe)磁矩的兩倍。他們還測試了長期耐用性。一個 9.8nm 厚的薄膜在開放空氣中存放 1.5 年后，盡管居里溫度略微下降至 470K，仍顯示出強烈的磁性。